ISSN1392–1320  "MEDŽIAGOTYRA"  Nr. 2 (7) 1998
Turinys Atnaujinta.2000.02.29
                          
                          
J. Tyczkowski, H. Szymanowski Plonos hidrogenizuotos anglies ir germanio plėvės, formuojamos plazmos stimuliuotu cheminiu nusodinimu naujame garso dažnio trijų elektrodų reaktoriuje 3
A. Medvid Puslaidininkių rekombinacijos parametrų nustatymas iš fotolaidumo nevienalyčiuose sukryžiuotuose elektriniuose ir magnetiniuose laukuose kinetikos 10
A. Abal'oshev, H. Bielska-Lewandowska, E. Dynowska, P. Gierłowski, A. Klimov, S. J. Lewandowski, V. D. Okunev, Z. A. Samoilenko, V. M. Svistunov Plonų amorfinių ir kristalinių YBaCuO plėvių, suformuotų impulsiniu lazeriu, struktūra,
optinės ir elektrinės savybės
15
A. Babiński, A. Wysmołek, T. Tomaszewicz, J. M. Baranowski, R. Leon, C. Lobo, C. Jagadish In Ga As/Ga As kvantinių duobių optinės savybės 22
Š. Meškinis, J. Margelevičius, R. Gudaitis, K. Šlapikas, J. Vaitkus SI-GaAs Šotkio kontakto elektrinės charakteristikos 24
V. Kažukauskas Nevienalyčio defektų pasiskirstymo įtaka nelegiruoto GaAs krūvininkų koncentracijai ir holo judriui 29
V. Kazlauskienė, J. Miškinis, J. Sinius, J. Vaitkus,  A. Žindulis Puslaidininkinių junginių auginimo ant terasinių padėklų lazeriniu garinimu tyrimai 33
S. Tamulevičius, G. Laukaitis, J. Jankauskas, R. Dargis, J. Tyczkowski, H. Szymanowski, R. Mazurczyk Radijo dažnio išlydyje suformuotų, gadoliniu legiruotų plonų silikoorganinių dangų savybės 37
S. Tamulevičius, L. Augulis, G. Laukaitis, L. Puodžiukynas Deformacijų plonose dangose matavimo būdai 40
A. V. Valiulis Nikelio lydinių plokštelių paketų neišardomojo sujungimo tyrimas 50
Č. Sipavičius, A. Amulevičius Tikslus kontūrinis pjovimas impulsiniu kietojo kūno lazeriu 55
S. Goberis, V. Antonovič

Kaitrai atspariame betone naudojamų kompozicijų tyrimai

59
V. Jankauskaitė Karbonatinių suspensijų sedimentacinis stabilumas 64
E. Fataraitė, V. Jankauskaitė, K. Žukienė, J. Tamošiūnas Klijai, modifikuoti kaučiuko priedais 73
A. Vitkauskas Tekstilės medžiagų įtempio atvirkštinės relaksacijos po valkšnumo proceso modeliavimas 78
R. Čiukas, T. Pivoras, B. Tvarijonavičienė Dvigubo žakardinio trikotažo struktūros parametrų tyrimas ir prognozavimas 81
Kronika 90

 

Straipsnių referatai

Plonos hidrogenizuotos anglies ir germanio plėvės, formuojamos plazmos stimuliuotu cheminiu nusodinimu naujame garso dažnio trijų elektrodų reaktoriuje

A. Tyczkowski, H. Szymanowski
Centre of Molecular and Macromolecular Studies, Polish Academy of Sciences, Sienkiewicza 112, 90-363 Lodz, Poland

   Amorfinės hidrogenizuotos anglies ir germanio plėvelės (a-GexCy:H) buvo suformuotos garso dažnio trijų elektrodų reaktoriuje iš tetrametilgermanio, plazmos stimuliuotu cheminiu nusodinimu. Buvo ištirtos plėvių elektrinės ir optinės savybės bei cheminė sudėtis. Nustatyta, kad keičiant šuntinio kondensatoriaus talpą, 45 pF srityje plėvelės elektroninė struktūra staigiai keičiasi, o jos cheminė sudėtis išlieka pastovi.
   Šitas virsmas siejamas su perėjimu iš amorfinio dielektriko į puslaidininkį, kurio metu keičiasi plonos plėvės tankis. Savo ruožtu tankio kitimą lemia augančią plėvelę bombarduojančių jonų energija.

Abstracts in English


Puslaidininkių rekombinacijos parametrų nustatymas iš fotolaidumo nevienalyčiuose sukryžiuotuose elektriniuose ir magnetiniuose laukuose kinetikos

A. Medvid
Laboratory of Semiconductor Physics, Riga Technical University, LV-1658 Riga, 1a Kalku str., Latvia

Teoriškai ir eksperimentiškai ištirta puslaidininkių, esančių sukryžiuotuose nevienalyčiuose elektriniuose ir magnetiniuose laukuose, fotolaidumo kinetika, spektrinis jautris bei fotovoltamperinės charakteristikos. Eksperimentams buvo naudojami perpjauto žiedo formos germanio bandiniai. Nustatyta, kad nemonotoninį ir neeksponentinį fotosrovės kitimą sąlygoja nepusiausviriųjų krūvininkų dreifas elektrinio lauko gradiento (arba jam priešinga) kryptimi. Parodyta, kad fotolaidumo kinetikos matavimai, kai krūvininkai koncentruoti ties apšviestu paviršiumi, gali būti naudojami rekombinaciniams parametrams nustatyti. Sukurtas naujas metodas paviršinės rekombinacijos spartai nustatyti ir tiesioginis būdas krūvininkų gyvavimo trukmei tūryje matuoti, naudojant sukryžiuotus nevienalyčius elektrinius ir magnetinius laukus.

Abstracts in English


Plonų amorfinių ir kristalinių YBaCuO plėvių, suformuotų impulsiniu lazeriu, struktūra, optinės ir elektrinės savybės

A. Abal'oshev, H. Bielska-Lewandowska, E. Dynowska, P. Gierłowski, A. Klimov, S. J. Lewandowski
Instytut Fizyki PAN, Al. Lotników 32, 02-668 Warszawa, Poland
V. D. Okunev, Z. A. Samoilenko, V. M. Svistunov
Donetsk Institute for Physics and Engineering, Academy of Sciences of Ukraine, R.Luxemburg str.72, 340114 Donetsk, Ukraine

Lazeriniu impulsiniu garinimu ant kambario temperatūros stiklo padėklų formuojamos plonos YBaCuO plėvės buvo naudojamos įvairių atomų klasteriams, esantiems plazmos sraute, tirti. Iš rentgeno spindulių difrakcijos tyrimų išplaukia, kad plonose plėvėse, formuojamose tiesioginiame (normalės kryptimi) sraute, esančių klasterių savybės iš esmės skiriasi nuo ant padėklų, esančių šalia garinimo objektų, suformuotų plėvių klasterių savybių. Kristalitų dydis pirmuoju atveju buvo eile didesnis. Plėvelėse, formuojamose netiesioginiame sraute, amorfiniai klasteriai ir kristalitai pasiskirsto plazmos srauto kryptimi. Optinės absorbcijos spektrai bei dangų elektroninės savybės koreliavo su struktūrinių tyrimų rezultatais. Kristalinių plėvelių, suformuotų aukštesnėse temperatūrose (780 oC) ant orientuojančiųjų padėklų, optiniai absorbcijos spektrai taip pat priklauso nuo padėklo orientacijos. Darbe aptariami galimi tirtus ypatumus sąlygojantys mechanizmai.

Abstracts in English


In Ga As/Ga As kvantinių duobių optinės savybės

A. Babiński, A. Wysmołek, T. Tomaszewicz, J. M. Baranowski
Institute of Experimental Physics, Warsaw University, ul. Hoza 69, 00-681 Warszawa, Poland
R. Leon, C. Lobo, C. Jagadish
Electronic Materials Engineering Dept. RSPhysSE, IAS, ANU, 0200 Canberra ACT, Australia

   Darbe aprašomi In GaAs/ GaAs kvantinių duobių lauko efekto struktūrose fotoliuminescencijos matavimo rezultatai. Tiriamosios struktūros buvo formuojamos iš metaloorganikos cheminiu nusodinimu iš dujinės fazės. Buvo stebėta kvantinių duobių fotoliuminescencija už GaAs draustinės juostos. Nustatyta, kad kvantinių duobių fotoliuminescencijos smailė bandiniams, suformuotiems ant padėklų, orientuotų [100] kristalografine kryptimi, yra siauresnė, palyginti su bandiniais, formuojamais ant neorientuotų padėklų. Kvantinių duobių fotoliuminescenciją galima visiškai užgesinti, prijungus įtampą prie šių struktūrų.
   Siūlomas paprastas modelis, susiejantis fotoliuminescencijos intensyvumą ir elektronų populiaciją kvantinėse duobėse.

Abstracts in English


SI-GaAs Šotkio kontakto elektrinės charakteristikos

Š. Meškinis, J. Margelevičius, R. Gudaitis, K. Šlapikas
Fizikinės elektronikos institutas, Kauno technologijos universitetas, Savanorių pr. 271, LT-3000 Kaunas
J. Vaitkus
Medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas, Saulėtekio 9, LT-2054 Vilnius

    Kambario temperatūroje veikiantys puslaidininkiniai jonizuojančiosios spinduliuotės jutikliai vis plačiau naudojami medicinoje, aplinkos monitoringe, branduolio fizikoje. Viena perspektyviausių medžiagų kambario temperatūroje veikiantiems puslaidininkiniams jonizuojančiosios spinduliuotės jutikliams gaminti yra didžiavaržis GaAs (SI-GaAs). Metalo-SI-GaAs kontaktų elektrinės charakteristikos smarkiai skiriasi nuo didesnės koncentracijos n ar p tipų GaAs, tačiau tiek metalo-SI-GaAs elektrinių charakteristikų ypatumai, tiek technologinių formavimo režimų įtaka šioms charakteristikoms nėra gerai ištirti.
    Šiame darbe tirtos Ti-SI-GaAs Šotkio kontakto, suformuoto ant įvairių didžiavaržio GaAs padėklų, elektrinės charakteristikos bei kontaktų formavimo technologinių režimų įtaka joms. Nustatyta, kad pagrindinis krūvininkų pernešimo mechanizmas yra vienpolė injekcija, kai Šotkio sandūra įjungta antiužtvarine kryptimi, ir krūvininkų generacija nuskurdintoje srityje, kai sandūra įjungta užtvarine kryptimi. Straipsnyje pateikti dviejų GaAs paviršiaus modifikavimo metodų įtakos Ti-SI-GaAs Šotkio kontakto elektrinėms charakteristikoms tyrimai. Taikant paviršinį selenavimą, galima sumažinti SIGaAs Šotkio kontakto nuotėkio sroves. Tai siejama su defektų pasyvavimu SIGaAs paviršiuje bei dielektrinio sluoksnio susidarymu. Apšvita 800 eV energijos angliavandenilių jonais, kai jonų kritimo kampas paviršiaus normalės atžvilgiu artimas 80° , sumažina Šotkio kontakto Ti-SIGaAs nuotėkio sroves. Tai siejama su giliųjų donorų vandeniline pasyvacija (neutralizavimu) - neutralizavus giliuosius donorus, padidėja SI-GaAs paviršinio sluoksnio varža.

Abstracts in English


Nevienalyčio defektų pasiskirstymo įtaka nelegiruoto GaAs krūvininkų koncentracijai ir holo judriui

V. Kažukauskas
Puslaidininkių fizikos katedra, Vilniaus universitetas, Saulėtekio al. 9-III, LT-2040 Vilnius, Lithuania

   Tyrėme elektronų koncentracijos ir Holo judrio priklausomybes nuo žadinančiosios priemaišinės šviesos intensyvumo ir temperatūros n-tipo GaAs monokristaluose, išaugintuose Čiochralskio būdu iš skystosios fazės. Tamsoje elektronų koncentracija bandiniuose kito nuo 108 iki 3 “  1011 cm-3, o Holo judris turėjo ryškų minimumą koncentracijų srityje nuo 109 iki 1011 cm-3. Šis minimumas atsiranda dėl mikronevienalytiškumo aplink dislokacijas padidėjimo, Fermio lygmeniui atsidūrus tarp EL2 ir EL3 lygmenų. Apšvietus tokius bandinius, Holo judris padidėja nuo ³  1460 iki 6300 - 7800 cm2/(Vs), kai kuriais atvejais beveik nekintant elektronų koncentracijai. Keliant temperatūrą, tamsinis Holo judris šiuose bandiniuose didėja. Tačiau apšviestų kristalų judris, kylant temperatūrai, mažėja staigiau nei dėl fononinės sklaidos. Tai paaiškinama nevienalytiškumų, susidariusių apie dislokacijų tinklą, įtaka. Ji gali smarkiai kisti priklausomai nuo bandinio kompensacijos bei sužadinimo. Dėl to skirtingų savybių ir matmenų nevienalytės sritys gali arba sklaidyti krūvininkus kaip atskiri sklaidos centrai, arba mažinti efektyvųjį bandinio tūrį. Buvo atliktas skaitmeninis modeliavimas, laikant, jog dėl nevienalyčio EL2 ir EL3 defektų pasiskirstymo skiriasi ir sričių aktyvacijos energijos. Nustatyta, jog, kylant temperatūrai, apšviestuose bandiniuose efektyviosios judrumo vertės iš tiesų gali sumažėti. Tačiau, siekiant kiekybinio sutapimo, būtina atsižvelgti ir į sklaidos mechanizmų kitimą dėl galimo defektų struktūros kitimo kylant temperatūrai.

Abstracts in English


Puslaidininkinių junginių auginimo ant terasinių padėklų lazeriniu garinimu tyrimai

V. Kazlauskienė, J. Miškinis, J. Vaitkus, A. Žindulis
Puslaidininkių fizikos katedra, Vilniaus universitetas, Saulėtekio al. 9-III, LT-2040 Vilnius, Lithuania
Medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas, Saulėtekio 9, LT-2040 Vilnius
J. Sinius
Medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas, Saulėtekio 9, LT-2040 Vilnius

    Darbe tirtas PbS ir ZnSe sluoksnių auginimas ant lygiagrečių su kristalografinėmis plokštumomis ir nedideliu kampu orientuotų Si monokristalų paviršių. Sluoksniai išauginti ant monokristalinių Si(100) ir Si(111) padėklų. Si(111) paviršius nušlifuotas <110> kryptimi keturių laipsnių kampu, todėl susiformuoja paviršius su būdingomis terasomis. Visi sluoksniai auginti lazeriniu išgarinimu. PbS ir ZnSe monokristalai panaudoti kaip garinimo šaltiniai. Sluoksnių augimas kontroliuotas rentgeno spinduliais sužadintų fotoelektronų spektroskopijos metodu. Naudojamo padėklo paviršiaus užpildymas augant sluoksniui buvo kontroliuojamas, matuojant padėklo atomų 2p lygmens elektronų sąlygotos linijos spektre intensyvumo mažėjimą.
    Parodytas skirtingas auginamų sluoksnių susiformavimas priklausomai nuo naudoto padėklo paviršiaus ir nuo auginamos medžiagos. Nustatytas homogeniškas (padėklo paviršius visiškai užpildomas augant kiekvienam naujam monosluoksniui) PbS formavimasis ant Si(100) padėklų. Kitoks augimo pobūdis pasireiškia pačioje pirminėje stadijoje, kai PbS auginamas ant Si(111). Šiuo atveju susidaro skirtingo nei PbS švino junginiai, kai auginamas sluoksnis ne storesnis už keturis monosluoksnius (vienas monosluoksnis prilyginamas PbS gardelės konstantai). Tokių sluoksnių fotoelektronų spektruose atsiranda papildomos Pb linijos. Manoma, kad, perteklinio švino atomams migruojant padėklo paviršiaus terasų briaunų link, susidaro Pb sankaupos. Auginamam PbS sluoksniui storėjant, papildomos linijos spektre išnyksta.
    ZnSe sluoksnis formuojasi salelėmis nepriklausomai nuo naudoto padėklo tipo. Pažymėtina, kad augant ZnSe ant Si(111) jau pradinėje stadijoje išlaikomas Zn ir Se atomų santykis, kuris atitinka ZnSe monokritaluose nustatytą dydį, o sluoksniui storėjant, pradeda formuotis danga su Se pertekliumi. Skirtingas augimo pobūdis nustatytas, kai ZnSe auginamas ant Si(100). Šiuo atveju pradinėje stadijoje formuojasi danga su ryškiu Se pertekliumi ir tik pasiekus aštuonių monosluoksnių storį Zn ir Se santykis susilygina su dydžiu, būdingu monokristalams.

Abstracts in English


Radijo dažnio išlydyje suformuotų, gadoliniu legiruotų plonų silikoorganinių dangų savybės

S. Tamulevičius, G. Laukaitis, J. Jankauskas, R. Dargis
Fizikos katedra, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 50, LT-3028 Kaunas
J. Tyczkowski, H. Szymanowski, R. Mazurczyk
Centre of Molecular and Macromolecular Studies, P.A.S. Sienkiewicza 112, 90-363 Lodz, Poland

    Darbe plonos silikoorganinės plėvelės buvo formuojamos ant kristalinio silicio padėklo, naudojant radijo dažnio žėrintį išlydį. Eksperimentiškai ištirta plazmos išlydžio galios ir heksametilodisiloksano koncentracijos įtaka plonų plėvelių augimo kinetikai, elektroninei struktūrai bei liekamųjų itempių dydžiui, nustatyti proceso optimalūs technologiniai parametrai. Atliktas dangų legiravimas Ga3+ jonais.
    Parodyta, kad legiruotų dangų fotoliuminescecinės savybės kinta dėl Si - C ryšių formavimo.
    Pastaruoju metu ypač daug dėmesio skiria amorfinėms silikoorganinėms medžiagoms, aktyvintoms lantanoidų grupės elementų jonais (Nd3+, Er3+, Ga3+). Šios medžiagos gali būti naudojamos mikrolazerių gamyboje. Keičiant plazminio proceso parametrus, galima smarkiai keisti nusodinamų plėvių savybes. Tai leistų, nenutraukiant technologinio proceso, formuoti skirtingus planarinius elementus.

Abstracts in English


Deformacijų plonose dangose matavimo būdai

S. Tamulevičius, L. Augulis, G. Laukaitis, L. Puodžiukynas
Fizikos katedra, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 50, LT-3028 Kaunas

   Plonoms plėvelėms, suformuotoms fizikiniais bei cheminiais garinimo ar elektrinio padengimo metodais, būdingi liekamieji įtempiai. Dėl jų plėvelėse atsiranda įtrūkimų, jos atsilupa, išlinksta padėklai, ant kurių yra suformuota plėvelė. Dėl įtempių puslaidininkiuose atsiranda draustinės juostos pokyčių, keičiasi kritinė superlaidžių dangų temperatūra, galimi magnetinės anizotropijos pokyčiai ir t.t.
    Įtempių gali atsirasti dėl įvairių priežasčių: dėl padėklo ir aukštoje temperatūroje suformuotos dangos temperatūrinių plėtimosi koeficientų nesutapimo, dėl elastinių konstantų nesutapimo, taip pat dėl daugybės efektų, tokių kaip priemaišos, defektai bei virsmai kietajame kūne po dangos susidarymo ar jos formavimosi momentu.
    Šiame darbe apžvelgiami įtempių matavimo metodai: rentgeno difrakcijos (2D Q metodas, sin2Y ir tarpplokštuminio atstumo pokyčio), Ramano spektroskopijos, konsolės išlenkimo (kondensatorinis, rezonansinio dažnio, optiniai: lazerio spindulio nuokrypio, holografiniai, interferenciniai) ir naudojama aparatūra. Lentelės pavidalu yra pateikta įtempių matavimo metodų paskirtis, principas, kuriuo remiantis matuojami įtempiai, parodyti šių metodų trūkumai ir privalumai. Daugiausia dėmesio darbe skiriama optiniams metodams, kurie yra taikomi Kauno technologijos universiteto Fizikos katedroje.

Abstracts in English


Nikelio lydinių plokštelių paketų neišardomojo sujungimo tyrimas

A. V. Valiulis
Vilniaus Gedimino technikos universitetas, J.Basanavičiaus g. 28, LT-2009 Vilnius

Radioelektroninių prietaisų magnetolaidžiai dažnai gaminami iš minkštamagnečių nikelio lydinių plokštelių rinkinio. Rinkinio plokštelių kiekį ir storį lemia magnetinės grandinės parametrai. Smulkūs, iki 1 mm storio, magnetolaidžiai sudaryti iš 5 - 10 plokštelių. Plokšteles tarpusavyje galima fiksuoti daugeliu būdų, bet našiausias iš jų yra suvirinimas. Suvirinus tarp plokštelių atsiranda metalinės jungtys, bloginančios magnetolaidžio charakteristikas. Tirta suvirinimo parametrų įtaka mechaninėms sujungimo savybėms, suvirinimo taškų išdėstymo, jų skaičiaus, terminio apdorojimo įtaka magnetinės skvarbos dydžiui. Plokštelių paketas suvirintas mikrokondensatoriniu taškiniu kontaktiniu būdu. Šitaip suvirinant iki 1 mm storio plokštelių paketus, taškinės siūlės skersmuo esti artimas elektrodo galo skersmeniui. Siūlės mechaninės savybės priklauso nuo suvirinimo parametrų – transformacijos koeficiento, energijos impulso dydžio, elektrodo galo skersmens, suvirinimo įtampos, suspaudimo jėgos. Keičiantis plokštelių skaičiui pakete ar jų storiui, šie parametrai keičiasi. Didėjant transformacijos koeficientui, sujungimas silpnėja, o didėjant energijos impulso dydžiui, - stiprėja. Didinant suvirinimo taškų skaičių, mažėja suvirinto paketo magnetinė skvarba. Palyginti su nevirintų paketų magnetine skvarba, po suvirinimo paketų magnetinė skvarba sumažėja 50 - 60% . Suvirinimo taškų padėties įtaka magnetinės skvarbos dydžiui siekia 3 - 4% . Po aukštatemperatūrio suvirinto paketo atkaitinimo magnetinė skvarba labai padidėja ir pasiekia 94 - 97% nesuvirinto paketo magnetinės skvarbos. Suvirintų taškų metalo kokybė labai priklauso nuo suvirinimo parametrų stabilumo ir plokštelių paviršiaus švarumo. Suvirinimo metu atsirandanti vėduokliškoji deformacija lengvai ištaisoma mechaniniu poveikiu. Geros eksploatacinės magnetolaidžio charakteristikos gaunamos tik tuomet, kai po suvirinimo ir mechaninio deformacijų sumažinimo suvirintas mazgas visiškai atkaitinamas aukštoje temperatūroje.

Abstracts in English


Tikslus kontūrinis pjovimas impulsiniu kietojo kūno lazeriu

Č. Sipavičius, A. Amulevičius
Fizikos institutas, A. Goštauto g. 12, LT-2600 Vilnius

   Darbe nagrinėjamas pjovimas impulsiniais didelio dažnio kietojo kūno lazeriais. Parodytos techninės ir technologinės galimybės pjauti sudėtingos geometrijos detales iš 0,3 - 1,0 mm storio lakštinio plieno.
   Aprašytos techninės priemonės ir technologiniai režimai, kurie leidžia gauti tikslų pjūvį ir švarų pjovimo paviršių. Nustatyta, kad bet kokio storio medžiagai galima parinkti tokią lazerio spindulio energiją, iš tūtos ištekančių dujų srauto greitį ir slėgį bei detalės judėjimo greitį, kurie užtikrintų optimalų pjovimo režimą. Parodyta, kad pjovimo lazeriu kokybę galima nustatyti:
   1) vizualiai, pagal lengvai mechaniškai nuvalomus, ant apatinės pjūvio plyšio briaunos nusėdusius medžiagos degimo (erozijos) produktus;
   2) pagal medžiagos degimo produktų, surinktų iš įvairių pjaunamos medžiagos ir kameros-gaudyklės vietų, fazinę sudėtį (1 lentelė).
Tyrimuose naudotas Nd: YAG impulsinis kietojo kūno lazeris LIT- 100M ir universaliosios lazerinės staklės. Stalo ir lazerio spindulio eigos valdymas yra automatizuotas. Medžiagos degimo produktų sudėtis nustatyta Mesbauerio spektrometrijos ir soties įmagnetinimo (SĮ) tyrimo metodais. Atlikus iš kūginių tūtų ištekančių dujų srautų hidrodinaminį tyrimą nustatytas srauto greičio ir slėgio pasiskirstymas tarp tūtos ir pjaunamos detalės ir už pjūvio plyšio. Gauta, kad esant optimaliam pjovimui, dujų srauto slėgis prieš tūtą gali svyruoti tarp 3,3 - 3,8 kg/cm2. Sumažėjus srauto slėgiui iki 2,2 - 2,3 kg/ cm2, pablogėja pjūvio kokybė. Ji nepagerėja net 2 - 3 kartus padidinus lazerio spindulio galią. Tyrimais nustatyta, kad aukščiausios kokybės pjūvis (lazeriu) esti tada, kai medžiagos pjovimo produktų sudėtyje yra daugiausia Fe ir Cr oksidų, o erozijos produktai, prilipę prie apatinės pjūvio briaunos, yra smulkūs ir lengvai nuvalomi mechaniškai.

Abstracts in English


Kaitrai atspariame betone naudojamų kompozicijų tyrimai

S. Goberis
Termoizoliacijos institutas, Linkmenų g. 28, LT-2600 Vilnius
V. Antonovič
Vilniaus Gedimino technikos universitetas, Saulėtekio al.11, LT-2054 Vilnius

    Lietuvos pramonėje plačiai naudojamas kaitrai atsparus betonas, kurio rišamoji kompozicija - skystasis stiklas su dispersiniais užpildais ir kietiklio priedu. Pagal galiojančius normatyvinius dokumentus skystojo stiklo tankis turi būti (1.36-1.38)g/cm3.
    Šiame darbe atliktų tyrimų tikslas - nustatyti (1.25 - 1.38) g/cm3 tankio skystojo stiklo įtaką technologinėms ir fizikinėms rišiklio kompozicijos savybėms. Nustatyta, kad rišiklio kompozicijoje su skystuoju stiklu, kurio tankis 1.25 g/cm3, natrio silikato kiekis 2 - 3 kartus mažesnis negu kompozicijose su 1.33, 1.38 g/cm3 tankio skystuoju stiklu. Esant vienodai tešlos konsistencijai, pirmoji kompozicija (skystojo stiklo tankis 1.25 g/cm3) turi daug mažiau skystos fazės. Šios kompozicijos struktūroje susidaro plonesnės rišiklio plėvės, dėl kurių destrukcijos procesai (100 - 600)o C temperatūrų intervale esti mažesni, o stipriai gniuždant - didesni. Taip pat ir kompozicijos deformacijos (500 - 800)oC temperatūrų intervale daug mažesnės. Tyrimais nustatyta, kad skystojo stiklo tankis neturi didesnės įtakos kompozicijos rišimosi trukmei, o mažesnis natrio silikato kiekis rišiklyje leis padidinti kaitrai atsparaus betono naudojimo temperatūrą.
   Naudojant rišiklio kompoziciją su 1.25 g/cm3 tankio skystuoju stiklu, galima gerokai pagerinti kaitrai atsparaus betono fizikines bei mechanines charakteristikas.

Abstracts in English


Karbonatinių suspensijų sedimentacinis stabilumas

V. Jankauskaitė
Polimerinių gaminių mokslo laboratorija, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 56, LT-3031 Kaunas

    Darbe tirta karbonatinių medžiagų – dolomito, klinties ir mergelio, kurios gali būti naudojamos polimerinėms kompozicijoms užpildyti, koloidinės savybės (frakcinė sudėtis, kinetinis ir agregacinis stabilumas, paviršiaus potencialas). Nustatyta, kad dauguma šių medžiagų yra polidispersinės mikroheterogeninės sistemos, kurių dalelės yra labai įvairaus dydžio (0.5 £  r £  100 m m). Tokios dalelės turi didelį lyginamąjį paviršių ir todėl paviršiaus reiškiniai joms daro didelę įtaką. Netgi nesant sistemoje išorinių koaguliacinių veiksnių, dalelėms sedimentuojant, atsiranda koaguliaciniai kontaktai. Susidarę agregatai arba flokulės turi sudėtingą struktūrą ir yra grįžtamo pobūdžio.
     Karbonatinių užpildų dalelių stabilumas priklauso nuo dispersinės terpės savybių. Naudojant didelio poliškumo dispersines terpes, padidėja suspensijų kinetinis ir agregatinis stabilumas. Mažėjant terpės poliškumui nuo fenolų-ketonų-alkoholių-esterių-angliavandenilių, mažėja elektrokinetinis potencialas ir susidaro didesni agregatai. Nustatyta, kad nuo agregatiškai pastovių prie agregatiškai nepastovių suspensijų pereinema terpėse, kurių dielektrinė skvarba mažesnė negu 17 - 18.
     Karbonatiniais užpildais užildytų polimerinių klijų sedimentacinis stabilumas taip pat priklauso nuo naudojamo tirpiklio poliškumo. Polichloropreniniams klijams gauti naudojant tirpiklių bukietą – benzinas-etilacetatas-acetonas, susidariusių karbonatų dalelių agregatai esti 2 - 3 kartus mažesni už agregatus, susidariusius klijuose su toluenu.

Abstracts in English


Klijai, modifikuoti kaučiuko priedais

E. Fataraitė, V. Jankausakitė, K. Žukienė
Polimerinių gaminių mokslo laboratorija, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 56, LT-3031 Kaunas
J. Tamošiūnas
AB "Inkaras", Raudondvario pl. 129, LT- 3021 Kaunas

     Darbe parodyta, kad poliuretaninius ir polichloropreninius klijus galima modifikuoti nedideliais įvairių polimerų – polimetilmetakrilato, cis-1,4 izopreninio kaučiuko ir butadiennitrilinių kaučiukų,turinčių skirtingą akrilnitrilo grupių skaičių, kiekiais ir labai pagerinti jų adhezines savybes. Uretaninio ir chloropreninio elastomerų ir šių polimerinių priedų mišiniai nepasižymi geru suderinamumu. Jų struktūra ir savybės priklauso nuo polimerinio priedo prigimties ir kiekio. Dėl visiško komponentų nesuderinamumo neįmanoma gauti poliuretaninių klijų kompozicijos su poliizobutilenu.
     Geriausias adhezines savybes turi klijai, modifikuoti nedideliu polimetilmetakrilato ar izopreninio kaučiuko SKI-3S kiekiu. Suklijavimo stipris padidėja daugiau kaip 24 - 31%, kai polimerinio priedo kiekis ne didesnis kaip 2 - 4 m.d. Tai gali būti susiję su mišinio komponentų tarpusavio tirpumu ir/ar karkasinio tiklelio, kuris sugebėtų pasipriešinti apkrovai, susiformavimu iš modifikatoriaus molekulių. Esant didesniam modifikatoriaus kiekiui, polimerinės fazės išsisluoksniuoja. Tokių mišinių elgsena jau aprašoma sistemų su mineraliniais užpildais dėsniais.
     Polimetilmetakrilatas yra aktyvus poliuretaninių ir polichloropreninių klijų modifikatorius, kuriam būdinga didelė sąveikos energija tarpfaziniame sluoksnyje. Tačiau didesnis polimetilmetakrilato kiekis pablogina klijų adhezines savybes, nes jis sumažina mišinio kohezinį stiprį. SKI-3S taip pat veikia kaip aktyvus modifikatorius ir gera adhezija tarfazinėje riboje pagerina klijų savybes netgi esant dideliam kaučiuko kiekiui.
     Butadiennitrilinų kaučiukų įtaka klijų adhezinėms savybėms nėra tokia ryški ir priklauso nuo akrilnitrilo kiekio. Kaučiukas, turintis daugiau akrilnitrilo, yra kur kas efektyvesnis klijų modifikatorius.

Abstracts in English


Tekstilės medžiagų įtempio atvirkštinės relaksacijos po valkšnumo proceso modeliavimas

A. Vitkauskas
Tekstilės technologijos katedra, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 56, LT-3031 Kaunas

    Įtempio atvirkštinė relaksacija - tekstilės medžiagos įtempio didėjimas, kai medžiagos deformacija e a laikoma pastovi, prieš tai medžiagą ištempus iki e > e a, kurį laiką deformaciją e t palaikius pastovią, o paskui iš dalies atleidus, kol ji sumažėja iki e a.
    Tyrimo tikslas - sumodeliuoti, kaip įtempio atvirkštinė relaksacija vyksta bandymo cikle, kada prieš atleidimą medžiagos įrąža palaikoma pastovi, o medžiagoje tuo metu vyksta valkšnumo procesas.
    Tyrimas atliktas taikant jau anksčiau mūsų naudotą apibendrintąjį Maksvelo modelį ir diskretinius jo relaksacijos trukmių spektrus. Išvestos modelio valkšnumo ir deformacijos relaksacijos lygtys. Nustatytos modelio Maksvelo elementų įrąžų persiskirstymo valkšnumo procese ypatybės, esant pastoviai modelio įrąžai. Nustatyta, kad atvirkštinės relaksacijos metu susidariusio įtempio dydis priklauso nuo bandymo ciklo tipo.

Abstracts in English


Dvigubo žakardinio trikotažo struktūros parametrų tyrimas ir prognozavimas

R. Čiukas, T. Pivoras, B. Tvarijonavičienė
Tekstilės technologijos katedra, Kauno technologijos universitetas, Studentų g. 56, LT-3031 Kaunas

    Projektuojant naują trikotažo struktūrą, labai svarbu rasti optimalų variantą, įvertinantį žaliavos sąnaudas bei trikotažo savybes. Siekiant palengvinti desinatoriui kurti naują gaminį, buvo sudaryta žakardinio trikotažo struktūros parametrų apskaičiavimo programa. Ji sukurta naudojantis Visual Basic 4.0 programavimo kalba ir skirta "Windows 95" terpei. Suprojektuoti ir 7 klasės “Stoll” firmos plokščiafangine CMS 400 modelio mašina numegzti šeši lastikinio dvispalvio žakardinio trikotažo variantai, kurie skiriasi pynimu (pilnuoju, keturių rūšių nepilnuoju ir dvipusiu). Ištirtos pagrindinės dvigubo žakardinio trikotažo struktūros charakteristikos bei tąsumas (ištįsa, atitinkanti 6 N tempimo jėgą) priklausomai nuo pynimo tipo. Nustatyta, kad lastikinio žakardinio trikotažo struktūros parametrai (tankumai, vidutinis kilpos ilgis, linijinis kilpos modulis, siūlų ilgis ir raporto masė bei paviršinis tankis) priklauso nuo pynimo tipo. Palygintos įvairaus tipo žakardinio trikotažo teorinės ir faktinės struktūros rodiklių reikšmės. Nustatyta, kad ištirtų rodiklių teorinių ir eksperimentinių reikšmių skirtumas ne didesnis kaip 4 % . Tyrimų rezultatai gali būti panaudoti prognozuojant naujų žakardinių struktūrų paviršinį tankį bei tąsumą.

Abstracts in English


Kronika

1998 m. birželio 29, 30 dienomis Kauno technologijos universitete įvyko tradicinis, jau septintasis lietuvių ir lenkų seminaras “Kietojo kūno fizika ir technologija”. Jo darbe dalyvavo 18 Lenkijos mokslininkų (Lenkijos mokslų akademijos, Varšuvos universiteto, Marijos Kiuri-Sklodovskos universiteto Liubline, N. Koperniko universiteto Torūnėje, Lenkijos mokslų akademijos Mikro- ir makromolekulinių studijų centro Lodzėje, Kalnakasybos ir metalurgijos universiteto Krokuvoje, Poznanės technologijos universiteto, Gdansko universiteto, Vroclavo technikos universiteto) ir 17 Lietuvos (Puslaidininkių fizikos instituto, Vilniaus universiteto, Kauno technologijos universiteto, Vilniaus Gedimino technikos universiteto, Vytauto Didžiojo universiteto) atstovų.

Reikia pasidžiaugti, kad dėl Lietuvos ir Lenkijos mokslininkų aktyvumo seminaras jau peržengė abiejų valstybių ribas. Pranešimų bendraautoriai yra Jungtinės Karalystės, Prancūzijos, Rusijos, Ukrainos, Danijos, Australijos mokslininkai.

Tradiciškai seminaro svečių nakvyne ir maitinimu pasirūpina organizatoriai. Jie padengia ir seminaro darbų išleidimo išlaidas (žr. leidinį “VII LITHUANIAN - POLISH SEMINAR SOLID STATE PHYSICS AND TECHNOLOGY”, LITHUANIA, Kaunas, June 29 - 30, 1998). Rengiant leidinį, iškilo nemažai redakcinio pobūdžio problemų, nes ne visi seminaro dalyviai pakankamai gerai moka anglų kalbą. Lietuvos mokslo ir studijų fondo skirtos lėšos (3900 Lt) labai padėjo sėkmingai surengti seminarą.

Abstracts in English